Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFD123
Изображение служит лишь для справки
IRFD123
-
HARRIS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 4-DIP (0.300, 7.62mm)
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Date Sheet
Lagernummer 40348
- 1+： $0.70402
- 10+： $0.66417
- 100+： $0.62658
- 500+： $0.59111
- 1000+： $0.55765
Zwischensummenbetrag $0.70402
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：4-DIP (0.300, 7.62mm)
- Поставщик упаковки устройства：4-HVMDIP
- Артикул Производителя：CP16B2C1A1C1
- Сертификация：UL
- Производитель：Warrick a Brand of Gems Sensor
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.3A (Ta)
- Mfr：Harris Corporation
- Состояние продукта：Obsolete
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Функция：Duplex Pump Up with Alternation
- Конфигурация вывода：SPST
- Ток выпуска：10 A
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：270mOhm @ 780mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：360 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Характеристика ТРП：-
- Управляющая напряжённость：120 VAC
Со склада 40348
- 1+： $0.70402
- 10+： $0.66417
- 100+： $0.62658
- 500+： $0.59111
- 1000+： $0.55765
Итого $0.70402
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты