Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHFBE30S-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHFBE30S-GE3
-
Vishay
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Transistor Power MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin TO-263
Date Sheet
Lagernummer 969
- 1+： $2.09953
- 10+： $1.98069
- 100+： $1.86857
- 500+： $1.76281
- 1000+： $1.66302
Zwischensummenbetrag $2.09953
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：D²PAK (TO-263)
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.1A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Vishay Siliconix
- Максимальная мощность рассеяния：125W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3Ohm @ 2.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：78 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：800 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 969
- 1+： $2.09953
- 10+： $1.98069
- 100+： $1.86857
- 500+： $1.76281
- 1000+： $1.66302
Итого $2.09953
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты