Изображение служит лишь для справки
059N15N3
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:26 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Производитель:Miscellaneous
- Артикул Производителя:2SA153D
- Максимальный ток утечки (ID):155 A
- Ранг риска:1.64
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Код цикла жизни компонента:Active
- Количество элементов:1
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Рохс Код:Yes
- Температура работы-Макс:175 °C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Код JESD-30:R-PSSO-F2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0059 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:620 A
- Минимальная напряжённость разрушения:150 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):520 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):375 W
Со склада 0
Итого $0.00000