Изображение служит лишь для справки
2N6987U
- Microchip
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 20-CLCC
- Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 20-Pin LLCC
- Date Sheet
Lagernummer 46
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 months ago)
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:20-CLCC
- Покрытие контактов:Lead, Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:20-CLCC (8.89x8.89)
- Количество терминалов:20
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Полярность транзистора:Dual PNP
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):600mA
- Основной номер продукта:2N6987
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетная партия производителя:1
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology
- РХОС:N
- Описание пакета:LCC-20
- Форма упаковки:CHIP CARRIER
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:200 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:2N6987U
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:4
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.16
- Код упаковки компонента:LCC
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C
- Серия:-
- Пакетирование:Bulk
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Максимальная рабочая температура:200 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Подкатегория:Transistors
- Максимальная потеря мощности:1 W
- Технология:Si
- Положение терминала:QUAD
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:20
- Код JESD-30:R-CQCC-N20
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Мощность - Макс:1W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:4 PNP (Quad)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):60 V
- Максимальный ток сбора:600 mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):10µA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
- Максимальная потеря мощности (абс.):1 W
- Максимальный ток коллектора (IC):0.6 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):50
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:60 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 46
Итого $0.00000