Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 46

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 months ago)
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:20-CLCC
  • Покрытие контактов:Lead, Tin
  • Монтаж:Surface Mount
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:20-CLCC (8.89x8.89)
  • Количество терминалов:20
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Полярность транзистора:Dual PNP
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):600mA
  • Основной номер продукта:2N6987
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Пакетная партия производителя:1
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip Technology
  • РХОС:N
  • Описание пакета:LCC-20
  • Форма упаковки:CHIP CARRIER
  • Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:2N6987U
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Количество элементов:4
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Ранг риска:5.16
  • Код упаковки компонента:LCC
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C
  • Серия:-
  • Пакетирование:Bulk
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN LEAD
  • Максимальная рабочая температура:200 °C
  • Минимальная температура работы:-65 °C
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Подкатегория:Transistors
  • Максимальная потеря мощности:1 W
  • Технология:Si
  • Положение терминала:QUAD
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:20
  • Код JESD-30:R-CQCC-N20
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Мощность - Макс:1W
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:PNP
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:4 PNP (Quad)
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):60 V
  • Максимальный ток сбора:600 mA
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):10µA (ICBO)
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
  • Максимальная потеря мощности (абс.):1 W
  • Максимальный ток коллектора (IC):0.6 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):50
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:60 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 46

Итого $0.00000