Изображение служит лишь для справки
2N3725A PBFREE
- Central
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-39
- Bipolar Transistors - BJT NPN Fast SW SS
- Date Sheet
Lagernummer 144
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-39
- Вид крепления:Through Hole
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:TO-39
- Пакет:Bulk
- Mfr:PEI-Genesis
- Состояние продукта:Active
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
- Распад мощности:1 W
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:60
- Вес единицы:0.035486 oz
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Пакетная партия производителя:500
- Монтажные варианты:Through Hole
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:300 MHz
- Производитель:Central Semiconductor
- Бренд:Central Semiconductor
- Максимальный постоянный ток сбора:1.2 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:150
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:50 V
- Максимальный коллекторный ток (Ic):1.2 A
- Описание пакета:,
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:200 °C
- Рохс Код:Yes
- Траниционный частотный предел (fT):300 MHz
- Артикул Производителя:2N3725APBFREE
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска:5.7
- Серия:*
- Пакетирование:Bulk
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Код JESD-609:e3
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN OVER NICKEL
- Подкатегория:Transistors
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:1 W
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:60 @ 100mA, 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс):10µA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:900mV @ 100mA, 1A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50 V
- Частота - Переход:300MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80 V
- Максимальная потеря мощности (абс.):1 W
- Максимальный ток коллектора (IC):1.2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):60
- Прямоходящий ток коллектора:1.2 A
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 144
Итого $0.00000