Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 144

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-39
  • Вид крепления:Through Hole
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Поставщик упаковки устройства:TO-39
  • Пакет:Bulk
  • Mfr:PEI-Genesis
  • Состояние продукта:Active
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
  • Распад мощности:1 W
  • Полярность транзистора:NPN
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:60
  • Вес единицы:0.035486 oz
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Пакетная партия производителя:500
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:300 MHz
  • Производитель:Central Semiconductor
  • Бренд:Central Semiconductor
  • Максимальный постоянный ток сбора:1.2 A
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:150
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:50 V
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):1.2 A
  • Описание пакета:,
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Траниционный частотный предел (fT):300 MHz
  • Артикул Производителя:2N3725APBFREE
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
  • Ранг риска:5.7
  • Серия:*
  • Пакетирование:Bulk
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Код JESD-609:e3
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN OVER NICKEL
  • Подкатегория:Transistors
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Конфигурация:Single
  • Мощность - Макс:1 W
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:60 @ 100mA, 1V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):10µA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:900mV @ 100mA, 1A
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50 V
  • Частота - Переход:300MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80 V
  • Максимальная потеря мощности (абс.):1 W
  • Максимальный ток коллектора (IC):1.2 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):60
  • Прямоходящий ток коллектора:1.2 A
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 144

Итого $0.00000