Изображение служит лишь для справки
7016L25G
- Renesas
- Память
- -
- SRAM Chip Async Dual 5V 144K-Bit 16K x 9-Bit 25ns 68-Pin PGA
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:68
- Описание пакета:CERAMIC, PGA-68
- Форма упаковки:GRID ARRAY
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Количество кодовых слов:16000
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Код эквивалентности пакета:PGA68,11X11
- Код упаковки производителя:GU68
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум:25 ns
- Температура работы-Макс:70 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:7016L25G
- Количество слов:16384 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):5 V
- Код пакета:PGA
- Форма упаковки:SQUARE
- Производитель:Integrated Device Technology Inc
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
- Ранг риска:5.64
- Код упаковки компонента:PGA
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:SEMAPHORE; INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.41
- Подкатегория:SRAMs
- Технология:CMOS
- Положение терминала:PERPENDICULAR
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Количество функций:1
- Шаг выводов:2.54 mm
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:68
- Код JESD-30:S-CPGA-P68
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Название бренда:Integrated Device Technology
- Напряжение питания максимальное (Vпит):5.5 V
- Блоки питания:5 V
- Градация температуры:COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):4.5 V
- Количество портов:2
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.22 mA
- Организация:16KX9
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:5.207 mm
- Ширина памяти:9
- Ток ожидания-макс:0.005 A
- Плотность памяти:147456 bit
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:DUAL-PORT SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима:4.5 V
- Ширина:29.464 mm
- Длина:29.464 mm
Со склада 0
Итого $0.00000