Изображение служит лишь для справки






MX35UF2G14AC-Z4I
-
Macronix
-
Память
- 1210 (3225 Metric)
- NAND Flash Memory 2Gb 1.7V to 1.95V Serial 8-Pin WSON
Date Sheet
Lagernummer 3820
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Корпус / Кейс:1210 (3225 Metric)
- Вид крепления:Surface Mount
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:1210
- Количество терминалов:8
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Mfr:Kamaya Inc.
- Состояние продукта:Active
- Типы памяти:Non-Volatile
- Описание пакета:HVSON,
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
- Количество кодовых слов:512000000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Температура работы-Макс:85 °C
- Артикул Производителя:MX35UF2G14AC-Z4I
- Частота часовного генератора макс. (fCLK):104 MHz
- Количество слов:536870912 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):1.8 V
- Код пакета:HVSON
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Macronix International Co Ltd
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
- Ранг риска:5.79
- Рабочая температура:-55°C ~ 155°C
- Серия:RMC
- Размер / Размерность:0.122 L x 0.098 W (3.10mm x 2.50mm)
- Допуск:±1%
- Количество выводов:2
- Коэффициент температурной зависимости:±100ppm/°C
- Тип:SLC NAND TYPE
- Сопротивление:1.74 kOhms
- Состав:Thick Film
- Мощность (ватт):0.5W, 1/2W
- Технология:FLASH - NAND (SLC)
- Напряжение - Питание:1.7V ~ 1.95V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Количество функций:1
- Шаг выводов:1.27 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-N8
- Срок службы:-
- Напряжение питания максимальное (Vпит):1.95 V
- Градация температуры:INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):1.7 V
- Размер памяти:2Gbit
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Частота часов:104 MHz
- Время доступа:8 ns
- Формат памяти:FLASH
- Интерфейс памяти:Parallel
- Организация:512MX4
- Максимальная высота посадки:0.8 mm
- Ширина памяти:4
- Время цикла записи - слово, страница:600µs
- Плотность памяти:2147483648 bit
- Параллельный/Серийный:SERIAL
- Тип микросхемы памяти:FLASH
- Программирование напряжения:1.8 V
- Характеристики:-
- Организация памяти:512M x 4
- Высота сидения (макс.):0.028 (0.70mm)
- Ширина:6 mm
- Длина:8 mm
- Оценки:-
Со склада 3820
Итого $0.00000