Изображение служит лишь для справки






BZD17C12P R2G
-
Taiwan Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- Sub SMA, 800mW, 6%, Zener Diode
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 years ago)
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Mfr:Knowles Syfer
- Состояние продукта:Active
- Статус жизненного цикла производителя:ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
- Описание пакета:R-PDSO-F2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Номинальный напряжений отсчета:12.05 V
- Температура работы-Макс:175 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BZD17C12PR2G
- Максимальная мощность рассеяния:0.8 W
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Taiwan Semiconductor
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- Максимальное напряжение включения:1.2 V
- Ранг риска:5.67
- Серия:*
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Pure Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:LOW LEAKAGE CURRENT
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Технология:ZENER
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PDSO-F2
- Направленность:UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:ZENER DIODE
- Допустимый напряжений предел:5.39%
- Тестовая рабочая токовая струя:50 mA
- Максимальный обратный ток:3 µA
- Динамическое сопротивление-макс:7 Ω
- Обратная тестовая напряжение:9.1 V
- Напряжение Темп Коэфф-Макс:12.05 mV/°C
Со склада 0
Итого $0.00000