Изображение служит лишь для справки
2SC6000(TE16L1,NQ)
- Toshiba
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Transistor NPN 120V 3-Pin New PW-Mold
- Date Sheet
Lagernummer 20
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства:PW-MOLD
- Формат продукта:IC Socket Adapters
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Максимальный коллекторный ток (Ic):7 A
- Основной номер продукта:2SC6000
- Mfr:Toshiba Semiconductor and Storage
- Состояние продукта:Active
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
- Распад мощности:20 W
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:250
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:2000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:Toshiba
- Бренд:Toshiba
- Максимальный постоянный ток сбора:10 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:400
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:50 V
- Описание пакета:,
- Артикул Производителя:2SC6000(TE16L1-NQ)
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Ранг риска:5.73
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Серия:-
- Пакетирование:Reel
- Тип:SIP Sockets Adapters
- Подкатегория:Transistors
- Шаг:2.54mm Pitch
- Технология:Si
- Код соответствия REACH:unknown
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:20 W
- Тип вывода:139
- Тип продукта:SIP Sockets Adapters
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:250 @ 2.5A, 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:180mV @ 83mA, 2.5A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120 V
- Прямоходящий ток коллектора:7 A
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 20
Итого $0.00000