Изображение служит лишь для справки

AUIRFZ24NL

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:0402 (1005 Metric)
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Поставщик упаковки устройства:0402
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Mfr:KOA Speer Electronics, Inc.
  • Состояние продукта:Active
  • Пакет:Tape & Reel (TR)
  • Основной номер продукта:SG73P1
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Infineon Technologies AG
  • Количество элементов:1
  • Максимальный ток утечки (ID):17 A
  • Ранг риска:5.31
  • Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Артикул Производителя:AUIRFZ24NL
  • Рохс Код:Yes
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Максимальная температура рефлоу:40
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Форма упаковки:IN-LINE
  • Описание пакета:IN-LINE, R-PSIP-T3
  • Рабочая температура:-55°C ~ 155°C
  • Серия:SG73P-RT
  • Размер / Размерность:0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
  • Допуск:±1%
  • Код JESD-609:e3
  • Количество выводов:2
  • Код ECCN:EAR99
  • Коэффициент температурной зависимости:±200ppm/°C
  • Сопротивление:14 kOhms
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
  • Состав:Thick Film
  • Мощность (ватт):0.25W, 1/4W
  • Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Код JESD-30:R-PSIP-T3
  • Срок службы:-
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-262AA
  • Максимальный сливовой ток (ID):17 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.07 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:68 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:55 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):71 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):45 W
  • Характеристики:Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
  • Высота сидения (макс.):0.016 (0.40mm)
  • Оценки:AEC-Q200

Со склада 0

Итого $0.00000