Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 2039

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-66-2
  • Вид крепления:Through Hole
  • Поставщик упаковки устройства:TO-66 (TO-213AA)
  • Пакет:Bulk
  • Mfr:KYOCERA AVX
  • Состояние продукта:Active
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
  • Распад мощности:35 W
  • Полярность транзистора:NPN
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:25
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Пакетная партия производителя:1
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip / Microsemi
  • Максимальный постоянный ток сбора:2 A
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:100
  • РХОС:N
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:250 V
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):2 A
  • Серия:*
  • Пакетирование:Tray
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Мощность - Макс:2.5 W
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:25 @ 1A, 10V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):5mA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:750mV @ 125mA, 1A
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):250 V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):375 V
  • Прямоходящий ток коллектора:2 A
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 2039

Итого $0.00000