Изображение служит лишь для справки
JAN2N3584
- Microchip
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-66-2
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
- Date Sheet
Lagernummer 2039
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-66-2
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:TO-66 (TO-213AA)
- Пакет:Bulk
- Mfr:KYOCERA AVX
- Состояние продукта:Active
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
- Распад мощности:35 W
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:25
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:Through Hole
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip / Microsemi
- Максимальный постоянный ток сбора:2 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:100
- РХОС:N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:250 V
- Максимальный коллекторный ток (Ic):2 A
- Серия:*
- Пакетирование:Tray
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:2.5 W
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:25 @ 1A, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):5mA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:750mV @ 125mA, 1A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):250 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):375 V
- Прямоходящий ток коллектора:2 A
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 2039
Итого $0.00000