Изображение служит лишь для справки
BYT30P-800
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Рабочая температура (макс.):150C
- Классификация Температурной Выносливости:Military
- Формат упаковки:Style 00
- Время жизни носителя:0.005(ns)
- Серийное сопротивление @ Максимальный ИФ:1.5@10mA(ohm)
- Квантовозащитный:No
- Минимальная температура работы:-55C
- Пределы частотной области применения:Ku
- Описание пакета:R-PSFM-T2
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:BYT30P-800
- Максимальная мощность рассеяния:65 W
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:STMicroelectronics
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:STMICROELECTRONICS
- Максимальное напряжение включения:1.9 V
- Ранг риска:5.61
- Код ECCN:EAR99
- Тип:Attenuator
- Применение:FAST RECOVERY
- Дополнительная Характеристика:FREE WHEELING DIODE
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
- Подкатегория:Rectifier Diodes
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:2
- Код JESD-30:R-PSFM-T2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:RECTIFIER DIODE
- Сокетная связка:CATHODE
- Выводная мощность-макс:30 A
- Количество фаз:1
- Максимальное обратное напряжение:800 V
- Максимальная прямая сила тока в пакете:200 A
- Обратная напряжение:15(V)
- Максимальный обратный ток:100 µA
- Время обратной восстановительной максимальная:0.13 µs
Со склада 0
Итого $0.00000