(0)
Изображение служит лишь для справки
BSM25GD120DLCE3224BOSA1
-
Infineon
-
Неклассифицированные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Покрытие контактов：Tin
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал корпуса：Nylon 6/6
- Количество терминалов：17
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Шаг (мм)：3.96(mm)
- Ориентация корпуса：Right Angle
- Количество контактных рядов：1
- Глубина продукта (мм)：8.4(mm)
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 105C
- Метод заканчивания：IDT
- Монтажные варианты：Cable
- Материалы контактов：Copper Alloy
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Время включения (тон)：120 ns
- Время отключения (toff)：380 ns
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：BSM25GD120DLCE3224BOSA1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：6
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.61
- Код упаковки компонента：MODULE
- Пакетирование：Bag
- Тип：IDC Connector
- Пол：F
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：17
- Код JESD-30：R-XUFM-X17
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Количество контактов：8(POS)
- Конфигурация：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC)：50 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Длина продукта (мм)：31.7(mm)
- Высота продукта (мм)：19.56(mm)
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
