Изображение служит лишь для справки






BZV55B3V9TRL13
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Форма упаковки:LONG FORM
- Уровни чувствительности к влажности:NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета:GLASS
- Максимальная температура рефлоу:40
- Номинальный напряжений отсчета:3.9 V
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BZV55B3V9TRL13
- Максимальная мощность рассеяния:0.5 W
- Форма упаковки:ROUND
- Производитель:NXP Semiconductors
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска:5.5
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Технология:ZENER
- Положение терминала:END
- Форма вывода:WRAP AROUND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:O-LELF-R2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:ZENER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Допустимый напряжений предел:2%
- Тестовая рабочая токовая струя:5 mA
- Максимальный обратный ток:3 µA
Со склада 0
Итого $0.00000