Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 33

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-78-6 Metal Can
  • Монтаж:Through Hole
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество контактов:6
  • Поставщик упаковки устройства:TO-78-6
  • Количество терминалов:6
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):600mA
  • Основной номер продукта:2N485
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Расписание В:8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080
  • Количество элементов:2
  • РХОС:Compliant
  • Описание пакета:TO-78, 6 PIN
  • Форма упаковки:CYLINDRICAL
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:2N4854
  • Время включения макс. (ton):45 ns
  • Форма упаковки:ROUND
  • Производитель:Microsemi Corporation
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Время отключения макс. (toff):300 ns
  • Ранг риска:5.32
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Серия:-
  • Пакетирование:Bulk
  • Код JESD-609:e0
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN LEAD
  • Максимальная рабочая температура:200 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
  • Максимальная потеря мощности:600 mW
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:O-MBCY-T6
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Направленность:NPN, PNP
  • Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS
  • Распад мощности:600 mW
  • Мощность - Макс:600mW
  • Полярность/Тип канала:NPN AND PNP
  • Тип транзистора:NPN, PNP
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):40 V
  • Максимальный ток сбора:600 mA
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):10µA (ICBO)
  • Код JEDEC-95:TO-78
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:400mV @ 15mA, 150mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):40V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V
  • Максимальный ток коллектора (IC):0.6 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):35
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:40 V
  • Корпусировка на излучение:No

Со склада 33

Итого $0.00000