Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT10M09B2VFRG
Изображение служит лишь для справки
APT10M09B2VFRG
-
Microchip
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Номинальное напряжение (постоянное)：100 V
- РХОС：Compliant
- Максимальная потеря мощности：625 W
- Моментальный ток：100 A
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Непрерывный ток стока (ID)：100 A
- Входной ёмкости：9.875 nF
- Rds на макс.：9 mΩ
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты