Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT10045LLLG
Изображение служит лишь для справки
APT10045LLLG
- Microchip
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-264-3, TO-264AA
- MOSFET N-CH 1000V 23A TO264
- Date Sheet
Lagernummer 24
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-264-3, TO-264AA
- Поставщик упаковки устройства:TO-264 [L]
- Программируемый:Yes
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT10045
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:23A (Tc)
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1000 V
- Время типичного задержки включения:10 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
- Распад мощности:565 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:30 V
- Вес единицы:0.352740 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:Through Hole
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:450 mOhms
- Время задержки отключения типичного:30 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:23 A
- Серия:POWER MOS 7®
- Пакетирование:Tube
- Тип:MOSFET
- Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Входной напряжение питания:670 V
- Конфигурация:Single
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:450mOhm @ 11.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4350 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:154 nC @ 10 V
- Время подъема:5 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):1000 V
- Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП:-
- Продукт:Power MOSFET Modules
- Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules
Со склада 24
Итого $0.00000