APT30M40JVR

Name: Microchip APT30M40JVR
Brand: Microchip
Rating: 4.6 (17 reviews)

Microchip
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-227-4, miniBLOC
MOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP
Date Sheet

Lagernummer 24

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：SOT-227-4, miniBLOC
Поставщик упаковки устройства：ISOTOP®
Напряжение, классификация：150 V
Пакет：Tube
Основной номер продукта：APT30M40
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：70A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：450W (Tc)
Состояние продукта：Active
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：300 V
Время типичного задержки включения：16 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Распад мощности：450 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：1.058219 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：Screw Mounts
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology / Atmel
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：40 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：48 ns
Id - Непрерывный ток разряда：70 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：POWER MOS V®
Пакетирование：Tube
Допуск：0.5 %
Коэффициент температурной зависимости：100 ppm/°C
Тип：Power MOSFET
Сопротивление：64.9 Ω
Максимальная рабочая температура：155 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Состав：Thin Film
Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
Мощность рейтинга：500 mW
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：40mOhm @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 2.5mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：10200 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：425 nC @ 10 V
Время подъема：20 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：300 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
Характеристика ТРП：-
Продукт：Power MOSFET Modules
Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Высота：650 µm

Со склада 24

Итого $0.00000