PJD2NA60_L2_00001

Name: Panjit PJD2NA60_L2_00001
Brand: Panjit
Rating: 4.8 (9 reviews)

Panjit
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252AA-3
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 25

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-252AA-3
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：TO-252
Пакет：Retail Package
Mfr：Glenair
Состояние продукта：Active
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Время типичного задержки включения：10 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：34 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：0.010476 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Panjit
Бренд：Panjit
Зарядная характеристика ворот：5.7 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.4 Ohms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：16 ns
Id - Непрерывный ток разряда：2 A
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：34W (Tc)
Серия：*
Пакетирование：Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.4Ohm @ 1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：257 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.7 nC @ 10 V
Время подъема：24 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 25

Итого $0.00000