TJ20A10M3(STA4，Q

Name: Toshiba TJ20A10M3(STA4，Q
Brand: Toshiba
Rating: 4.6 (17 reviews)

Toshiba
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3 Full Pack
MOSFET P-Channel Enhancement Mode 100V 3-Pin SC-67
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Поставщик упаковки устройства：TO-220SIS
Пакет：Retail Package
Mfr：Glenair
Состояние продукта：Active
Основной номер продукта：TJ20A10
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：35W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
Время типичного задержки включения：27 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Распад мощности：35 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.059966 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：50
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：120 nC
Торговое наименование：U-MOSVI
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：90 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：420 ns
Id - Непрерывный ток разряда：20 A
Серия：*
Рабочая температура：150°C
Пакетирование：Tube
Подкатегория：MOSFETs
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：90mOhm @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5500 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：120 nC @ 10 V
Время подъема：13 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 P-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000