Изображение служит лишь для справки
DMN32D2LFB4-7B
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакет:Bulk
- Mfr:PEI-Genesis
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:X2-DFN1006-3, 3 PIN
- Форма упаковки:CHIP CARRIER
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:30
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:DMN32D2LFB4-7B
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Diodes Incorporated
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:DIODES INC
- Ранг риска:5.66
- Максимальный ток утечки (ID):0.3 A
- Серия:*
- Код JESD-609:e4
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Подкатегория:FET General Purpose Powers
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PBCC-N3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):0.3 A
- Сопротивление открытого канала-макс:1.2 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.35 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):7.2 pF
Со склада 0
Итого $0.00000