Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Пакет:Bulk
  • Mfr:PEI-Genesis
  • Состояние продукта:Active
  • Описание пакета:X2-DFN1006-3, 3 PIN
  • Форма упаковки:CHIP CARRIER
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:30
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:DMN32D2LFB4-7B
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Diodes Incorporated
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:DIODES INC
  • Ранг риска:5.66
  • Максимальный ток утечки (ID):0.3 A
  • Серия:*
  • Код JESD-609:e4
  • Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
  • Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
  • Подкатегория:FET General Purpose Powers
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Нормативная Марка:AEC-Q101
  • Код JESD-30:R-PBCC-N3
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Максимальный сливовой ток (ID):0.3 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:1.2 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:30 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):0.35 W
  • Обратная ёмкость-Макс (Crss):7.2 pF

Со склада 0

Итого $0.00000