DTD114ES

Name: ROHM Semiconductor DTD114ES
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.9 (17 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Mfr：Suntsu Electronics, Inc.
Состояние продукта：Active
Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
Форма упаковки：IN-LINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：10
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Траниционный частотный предел (fT)：200 MHz
Артикул Производителя：DTD114ES
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：ROHM Semiconductor
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：ROHM CO LTD
Ранг риска：5.66
Рабочая температура：-20°C ~ 70°C
Серия：SXT324
Размер / Размерность：0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Код JESD-609：e1
Код ECCN：EAR99
Тип：MHz Crystal
Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Подкатегория：BIP General Purpose Small Signal
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Частота：18.432 MHz
Частотная стабильность：±30ppm
Код JESD-30：R-PSIP-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление)：70 Ohms
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Емкость нагрузки：10pF
Режим работы：Fundamental
Допустимая частотная неопределенность：±25ppm
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.2 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：56
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
Высота сидения (макс.)：0.031 (0.80mm)
Оценки：-

Со склада 0

Итого $0.00000