(0)
Изображение служит лишь для справки
DS1230AB-100-IND
-
MAXIM Dallas
-
Неклассифицированные
- -
- DIP-28
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Push Pin
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал：Aluminium
- Форма：Fins, Square
- Пакет охлаждаемый：ASIC
- Количество терминалов：28
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：DIP-28
- Форма упаковки：IN-LINE
- Количество кодовых слов：32000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：DIP28,.6
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Время доступа-максимум：100 ns
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：DS1230AB-100-IND
- Количество слов：32768 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：5 V
- Код пакета：DIP
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Dallas Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：DALLAS SEMICONDUCTOR
- Ранг риска：5.68
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：10 YEARS DATA RETENTION PERIOD
- Подкатегория：SRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Количество функций：1
- Шаг выводов：2.54 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDIP-T28
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：5.25 V
- Блоки питания：5 V
- Градация температуры：INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：4.75 V
- Количество портов：1
- Режим работы：ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.085 mA
- Организация：32KX8
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：8
- Ток ожидания-макс：0.005 A
- Плотность памяти：262144 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：NON-VOLATILE SRAM MODULE
- Включение вывода：YES
- Ширина：54.0004 mm
- Длина：54.0004 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
