Изображение служит лишь для справки
BCW68G-TP
- Micro Commercial Components
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 4-SMD, No Lead
- Interface
- Date Sheet
Lagernummer 16
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:4-SMD, No Lead
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:SOT-23
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакет:Bulk
- Mfr:Suntsu Electronics, Inc.
- Состояние продукта:Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic):800 mA
- Основной номер продукта:BCW68
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:10
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Траниционный частотный предел (fT):200 MHz
- Артикул Производителя:BCW68G-TP
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Micro Commercial Components
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
- Ранг риска:0.66
- Рабочая температура:-20°C ~ 70°C
- Серия:STC21C
- Размер / Размерность:0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Тип:TCXO
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Подкатегория:Other Transistors
- Напряжение - Питание:2.8V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Частота:19.2 MHz
- Частотная стабильность:±2.5ppm
- Выход:CMOS
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Функция:Standby (Power Down)
- Базовый резонатор:Crystal
- Ток - Питание (Макс.):10mA
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Ток - Подача (Отключить) (Макс.):-
- Конфигурация:SINGLE
- Ширина спектра разброса:-
- Мощность - Макс:330 mW
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:160 @ 100mA, 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс):20nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:700mV @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):45 V
- Частота - Переход:200MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.33 W
- Абсолютный диапазон подтяжки (АДП):-
- Максимальный ток коллектора (IC):0.8 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):60
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:45 V
- Высота сидения (макс.):0.031 (0.80mm)
- Оценки:-
Со склада 16
Итого $0.00000