Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 16

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:4-SMD, No Lead
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:SOT-23
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Пакет:Bulk
  • Mfr:Suntsu Electronics, Inc.
  • Состояние продукта:Active
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):800 mA
  • Основной номер продукта:BCW68
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:10
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Траниционный частотный предел (fT):200 MHz
  • Артикул Производителя:BCW68G-TP
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Micro Commercial Components
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
  • Ранг риска:0.66
  • Рабочая температура:-20°C ~ 70°C
  • Серия:STC21C
  • Размер / Размерность:0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:TCXO
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Подкатегория:Other Transistors
  • Напряжение - Питание:2.8V
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Частота:19.2 MHz
  • Частотная стабильность:±2.5ppm
  • Выход:CMOS
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PDSO-G3
  • Функция:Standby (Power Down)
  • Базовый резонатор:Crystal
  • Ток - Питание (Макс.):10mA
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Ток - Подача (Отключить) (Макс.):-
  • Конфигурация:SINGLE
  • Ширина спектра разброса:-
  • Мощность - Макс:330 mW
  • Полярность/Тип канала:PNP
  • Тип транзистора:PNP
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:160 @ 100mA, 1V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):20nA (ICBO)
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:700mV @ 50mA, 500mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):45 V
  • Частота - Переход:200MHz
  • Максимальная потеря мощности (абс.):0.33 W
  • Абсолютный диапазон подтяжки (АДП):-
  • Максимальный ток коллектора (IC):0.8 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):60
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:45 V
  • Высота сидения (макс.):0.031 (0.80mm)
  • Оценки:-

Со склада 16

Итого $0.00000