(0)
Изображение служит лишь для справки
APT5560BN
-
ADVANCED POWER TECHNOLOGY
-
Неклассифицированные
- 4-SMD, No Lead
- FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Mfr：SiTime
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：APT5560BN
- Время включения макс. (ton)：60 ns
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Advanced Power Technology
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
- Время отключения макс. (toff)：118 ns
- Ранг риска：5.92
- Максимальный ток утечки (ID)：13 A
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C
- Серия：SiT8208
- Размер / Размерность：0.106 L x 0.094 W (2.70mm x 2.40mm)
- Код JESD-609：e0
- Тип：XO (Standard)
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Напряжение - Питание：2.8V
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Частота：38 MHz
- Частотная стабильность：±10ppm
- Выход：LVCMOS, LVTTL
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Функция：Standby (Power Down)
- Базовый резонатор：MEMS
- Ток - Питание (Макс.)：33mA
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Ток - Подача (Отключить) (Макс.)：70µA
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Ширина спектра разброса：-
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247AD
- Максимальный сливовой ток (ID)：13 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.6 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：52 A
- Минимальная напряжённость разрушения：550 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：240 W
- Абсолютный диапазон подтяжки (АДП)：-
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：157 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：240 W
- Высота сидения (макс.)：0.031 (0.80mm)
- Оценки：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
