Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные AONR32318
Изображение служит лишь для справки
AONR32318
Lagernummer 2921
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
- Поставщик упаковки устройства：8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Пакет：Bulk
- Mfr：Suntsu Electronics, Inc.
- Состояние продукта：Active
- Основной номер продукта：AONR323
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：50A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：56W (Tc)
- Рабочая температура：-30°C ~ 85°C
- Серия：STC53K
- Размер / Размерность：0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
- Тип：TCXO
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение - Питание：3.3V
- Частота：20 MHz
- Частотная стабильность：±5ppm
- Выход：Clipped Sine Wave
- Функция：-
- Базовый резонатор：Crystal
- Ток - Питание (Макс.)：2mA
- Ток - Подача (Отключить) (Макс.)：-
- Ширина спектра разброса：-
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.2mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6360 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：150 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Абсолютный диапазон подтяжки (АДП)：-
- Характеристика ТРП：-
- Высота сидения (макс.)：0.059 (1.50mm)
- Оценки：-
Со склада 2921
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты