Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UF3C120400B7S
Изображение служит лишь для справки
UF3C120400B7S
- UnitedSiC
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 1206 (3216 Metric)
- 1200V/400MOHM, SIC, FAST CASCODE
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:1206 (3216 Metric)
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:1206
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта:RS73G2BRT
- Mfr:KOA Speer Electronics, Inc.
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:7.6A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):12V
- Максимальная мощность рассеяния:100W (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1.2 kV
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:6 V
- Распад мощности:100 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 25 V, + 25 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:22.5 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:400 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:5.9 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 155°C
- Серия:RS73-RT
- Размер / Размерность:0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)
- Допуск:±0.25%
- Количество выводов:2
- Коэффициент температурной зависимости:±50ppm/°C
- Сопротивление:78.7 kOhms
- Состав:Thick Film
- Мощность (ватт):0.333W, 1/3W
- Технология:SiCFET (Silicon Carbide)
- Срок службы:-
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:515mOhm @ 5A, 12V
- Втс(th) (Макс) @ Id:6V @ 10mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:739 pF @ 800 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:22.5 nC @ 15 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):1200 V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Характеристика ТРП:-
- Характеристики:Automotive AEC-Q200
- Высота сидения (макс.):0.028 (0.70mm)
- Оценки:AEC-Q200
Со склада 0
Итого $0.00000