(0)
Изображение служит лишь для справки
JAN2N6352
-
Microchip
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 4-SMD, No Lead
- NPN TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
- Монтаж：Through Hole
- Количество контактов：4
- Поставщик упаковки устройства：TO-66 (TO-213AA)
- Пакет：Bulk
- Mfr：Suntsu Electronics, Inc.
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
- Количество элементов：1
- РХОС：Non-Compliant
- Рабочая температура：-20°C ~ 70°C
- Серия：SXT214
- Пакетирование：Bulk
- Размер / Размерность：0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
- Тип：MHz Crystal
- Максимальная рабочая температура：125 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Частота：20 MHz
- Частотная стабильность：±30ppm
- ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление)：200 Ohms
- Направленность：NPN
- Емкость нагрузки：10pF
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：Fundamental
- Допустимая частотная неопределенность：±20ppm
- Мощность - Макс：2 W
- Тип транзистора：NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：2000 @ 5A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：-
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 5mA, 5A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：12 V
- Высота сидения (макс.)：0.020 (0.50mm)
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
