(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIJH5800E-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIJH5800E-T1-GE3
-
Vishay
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Transistor Power MOSFET N-CH 80V 302A 4-Pin PowerPAK T/R
Date Sheet
Lagernummer 4568
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：HSNT-4-A
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта：S-1312
- Mfr：ABLIC Inc.
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A (Ta), 302A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.3W (Ta), 333W (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
- Время типичного задержки включения：20 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V, 4 V
- Распад мощности：333 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：170 ns
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay Semiconductors
- Зарядная характеристика ворот：103 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.35 mOhms, 1.58 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：53 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：302 A
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C (TA)
- Серия：S-1312
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Ток - Питание (Макс.)：30 µA
- Напряжение - Вход (Макс)：5.5V
- Выводной тип：Fixed
- Каналов количество：1 Channel
- Конфигурация вывода：Positive
- Текущий - Выход：150mA
- Функции управления：Enable
- Напряжение - Выход (Мин/фикс)：2.9V
- Количество Регуляторов：1
- Функции защиты：Overcurrent, Thermal Shutdown
- Ток - покойный (Iq)：1 µA
- Тип ТРВ：N-Channel
- Напряжение отброса (макс.)：0.32V @ 100mA
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.35mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- ППСР (PSRR)：65dB (1kHz)
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7730 pF @ 40 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：155 nC @ 10 V
- Время подъема：28 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Напряжение - Выход (Макс.)：-
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 4568
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
