(0)
Изображение служит лишь для справки
DS2219-150
-
MAXIM Dallas
-
Неклассифицированные
- 128-LQFP
- SIMM-30
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：128-LQFP
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：128-TQFP (14x20)
- Количество терминалов：30
- Типы памяти：Volatile
- Описание пакета：SIMM-30
- Форма упаковки：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
- Количество кодовых слов：1000000
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Код эквивалентности пакета：SIM30
- Время доступа-максимум：150 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Артикул Производителя：DS2219-150
- Количество слов：1048576 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：5 V
- Код пакета：SIMM
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Dallas Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：DALLAS SEMICONDUCTOR
- Ранг риска：5.84
- Рабочая температура：0°C ~ 70°C (TA)
- Серия：--
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Obsolete
- Подкатегория：SRAMs
- Технология：SRAM - Dual Port, Synchronous
- Напряжение - Питание：3 V ~ 3.6 V
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：NO LEAD
- Количество функций：1
- Шаг выводов：2.54 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Основной номер части：IDT70V9279
- Код JESD-30：R-XSMA-N30
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：5.5 V
- Блоки питания：5 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：4.5 V
- Размер памяти：512Kb (32K x 16)
- Количество портов：1
- Режим работы：ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.015 mA
- Время доступа：12ns
- Формат памяти：SRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Организация：1MX9
- Ширина памяти：9
- Время цикла записи - слово, страница：--
- Ток ожидания-макс：0.015 A
- Плотность памяти：9437184 bit
- Тип микросхемы памяти：DRAM MODULE
- Режим доступа：FAST PAGE
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
