(0)
Изображение служит лишь для справки
EDJ4216EFBG-GN-F-R
-
Micron Technology
-
Память
- 100-LQFP
- DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.35V 96-Pin F-BGA T/R
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：100-LQFP
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：100-TQFP (14x14)
- Количество терминалов：96
- Типы памяти：Volatile
- Описание пакета：TFBGA,
- Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Количество кодовых слов：256000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：85 °C
- Артикул Производителя：EDJ4216EFBG-GN-F-R
- Количество слов：268435456 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.35 V
- Код пакета：TFBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Micron Technology Inc
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICRON TECHNOLOGY INC
- Ранг риска：5.68
- Рабочая температура：0°C ~ 70°C (TA)
- Серия：--
- Пакетирование：Tray
- Состояние изделия：Active
- Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
- Технология：SRAM - Synchronous ZBT
- Напряжение - Питание：2.375 V ~ 2.625 V
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Основной номер части：IDT71T75
- Код JESD-30：R-PBGA-B96
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.45 V
- Градация температуры：OTHER
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.283 V
- Размер памяти：18Mb (1M x 18)
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Время доступа：7.5ns
- Формат памяти：SRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Организация：256MX16
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：16
- Время цикла записи - слово, страница：--
- Плотность памяти：4294967296 bit
- Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
- Режим доступа：MULTI BANK PAGE BURST
- Автоперезапись：YES
- Ширина：9 mm
- Длина：13.5 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
