EN29LV800CT-70BIP

Name: EON Silicon EN29LV800CT-70BIP
Brand: EON Silicon
Rating: 4.6 (9 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：48
Состояние без свинца / Состояние по RoHS：--
Описание пакета：LFBGA, BGA48,6X8,32
Форма упаковки：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Количество кодовых слов：512000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：BGA48,6X8,32
Минимальная температура работы：-40 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время доступа-максимум：70 ns
Температура работы-Макс：85 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：EN29LV800CT-70BIP
Количество слов：524288 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：3 V
Код пакета：LFBGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Eon Silicon Solution Inc
Код цикла жизни компонента：Transferred
Производитель IHS：EON SILICON SOLUTION INC
Ранг риска：5.56
Серия：*
Состояние изделия：Active
Код ECCN：EAR99
Тип：NOR TYPE
Дополнительная Характеристика：TOP BOOT SECTOR
Код ТН ВЭД：8542.32.00.51
Подкатегория：Flash Memories
Технология：CMOS
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PBGA-B48
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
Блоки питания：3/3.3 V
Градация температуры：INDUSTRIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.7 V
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.02 mA
Организация：512KX16
Максимальная высота посадки：1.3 mm
Ширина памяти：16
Ток ожидания-макс：0.000005 A
Плотность памяти：8388608 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип микросхемы памяти：FLASH
Программирование напряжения：3 V
Продолжительность：100000 Write/Erase Cycles
Альтернативная ширина памяти：8
Опрос данных：YES
Бит переключения：YES
Пользовательский интерфейс команд：YES
Количество секторов/Размер：1,2,1,15
Размер сектора：16K,8K,32K,64K
Готов/Занят：YES
Блок запуска：TOP
Ширина：6 mm
Длина：8 mm

Со склада 0

Итого $0.00000