(0)
Изображение служит лишь для справки
FMH21N50ES
-
Fuji Electric
-
Неклассифицированные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 21A I(D),500V,0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Mfr：PEI-Genesis
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：FMH21N50ES
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Fuji Electric Co Ltd
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：FUJI ELECTRIC CO LTD
- Ранг риска：5.76
- Код упаковки компонента：TO-3P(Q
- Максимальный ток утечки (ID)：21 A
- Серия：*
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.27 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：84 A
- Минимальная напряжённость разрушения：500 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：714.5 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
