FDB2572_NL

Name: Fairchild FDB2572_NL
Brand: Fairchild
Rating: 4.5 (14 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Panel Mount, Through Hole
Поверхностный монтаж：YES
Монтажная особенность：Flange
Материал корпуса：Aluminum
Материал вставки：-
Количество терминалов：2
Материал задней обоймы, покрытие：-
Материал элемента транзистора：SILICON
Напряжение, классификация：-
Пакет：Bulk
Основной материал：Metal
Основной номер продукта：TVP00DZ
Mfr：Amphenol Aerospace Operations
Состояние продукта：Active
Материалы контактов：Copper Alloy
Контактная поверхность совместимая：Gold
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Артикул Производителя：FDB2572_NL
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Fairchild Semiconductor Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Ранг риска：5.74
Код упаковки компонента：D2PAK
Максимальный ток утечки (ID)：4 A
Рабочая температура：-65°C ~ 175°C
Серия：MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ HD
Код JESD-609：e3
Завершение：Solder
Код ECCN：EAR99
Тип соединителя：Receptacle, Male Pins
Количество должностей：88
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Цвет：Black
Применение：Military
Способ крепления：Threaded
Максимальная токовая нагрузка (Амперы)：-
Положение терминала：SINGLE
Ориентация：A
Форма вывода：GULL WING
Экранирование：Unshielded
Защита от проникновения：Environment Resistant
Код соответствия REACH：unknown
Облицовка：Black Zinc Nickel
Число контактов：3
Размер корпуса - вставка：19-88
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Размер корпуса, MIL：-
Сокетная связка：DRAIN
Открывание кабеля：-
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-263AB
Сопротивление открытого канала-макс：0.054 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：150 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：36 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристики：Alignment Disc
Толщина покрытия контакта - совместимая：50.0µin (1.27µm)
Рейтинг горючести материала：-

Со склада 0

Итого $0.00000