(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDS4770
Изображение служит лишь для справки
FDS4770
-
Fairchild
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Panel Mount, Rear
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOIC
- Номинальное напряжение DC：30V
- Электрический ресурс：40,000 Cycles
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13.2A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W (Ta)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-30°C ~ 85°C
- Серия：8Y
- Пакетирование：Bulk
- Состояние изделия：Active
- Тип：Standard
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Защита от проникновения：--
- Моментальный ток：6A (AC), 4A (DC)
- Стиль заканчивания：Solder Lug
- Тип привода：Plunger for Cap
- Схема：SPDT
- Функция переключения：On-On
- Размеры панели для вырезки：Circular - 12.50mm Dia
- Цвет - Активатор/Капсуль：--
- Напряжение подсветки (номинальное)：--
- Вид освещения, цвет：--
- Механический ресурс：--
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5mOhm @ 13.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2819 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：67 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Характеристики：--
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
