(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUZ73AIN
Изображение служит лишь для справки
BUZ73AIN
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- N-channel Power Mosfet
Date Sheet
Lagernummer 1174
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Free Hanging (In-Line)
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Монтажная особенность：-
- Материал корпуса：Aluminum Alloy
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO220-3-1
- Состояние продукта：Active
- Контактная поверхность совместимая：Gold
- Mfr：ITT Cannon, LLC
- Основной номер продукта：KPSE
- Основной материал：Metal
- Пакет：Bulk
- Напряжение, классификация：600VAC, 850VDC
- РХОС：Non-Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.5A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：40W (Tc)
- Серия：KPSE
- Рабочая температура：-55°C ~ 125°C
- Завершение：Crimp
- Тип соединителя：Plug, Female Sockets
- Количество должностей：55
- Цвет：Black
- Способ крепления：Bayonet Lock
- Максимальная токовая нагрузка (Амперы)：7.5A
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Ориентация：X
- Экранирование：-
- Защита от проникновения：Environment Resistant
- Облицовка：Black Zinc
- Размер корпуса - вставка：22-55
- Размер корпуса, MIL：-
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：600mOhm @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：530 pF @ 25 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Характеристики：Strain Relief
- Толщина покрытия контакта - совместимая：50.0µin (1.27µm)
Со склада 1174
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
