(0)
Изображение служит лишь для справки
GT30J122
Lagernummer 5000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал：Aluminum
- Форма：Rectangular, Fins
- Пакет охлаждаемый：Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
- Отделка материала：Blue Anodized
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон)：300 ns
- Время отключения (toff)：400 ns
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：GT30J122
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：End Of Life
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.26
- Серия：pushPIN™
- Безоловая кодировка：No
- Состояние изделия：Active
- Тип：Top Mount
- Дополнительная Характеристика：HIGH SPEED
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Метод крепления：Push Pin
- Высота над основанием (Высота лопасти)：0.500 (12.70mm)
- Тепловое сопротивление при принудительном воздушном потоке：27.08°C/W @ 100 LFM
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：75 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：30 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Тепловое сопротивление при естественном охлаждении：--
- Расход мощности @ Температурный подъем：--
- Время падения максимальное (tf)：400 ns
- Ширина：1.575 (40.00mm)
- Длина：2.126 (54.01mm)
- Диаметр：--
Со склада 5000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
