HGTP20N36G3VL

Name: ON Semiconductor HGTP20N36G3VL
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (10 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：120-LQFP
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：120-LQFP (16x16)
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Tray
Основной номер продукта：MB90020
Mfr：Infineon Technologies
Преобразователи данных：-
Состояние продукта：Obsolete
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：175 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：HGTP20N36G3VL
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Fairchild Semiconductor Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Ранг риска：5.92
Код упаковки компонента：TO-220AB
Рабочая температура：-
Серия：-
Код JESD-609：e0
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
Тип генератора：-
Скорость：-
Размер ОЗУ：-
Ток напряжения - Питание (Вcc/Вdd)：-
Ядерный процессор：-
Сокетная связка：COLLECTOR
Периферийные устройства：-
Тип программной памяти：-
Размер ядра：-
Объем программной памяти：-
Связь：-
Применение транзистора：AUTOMOTIVE IGNITION
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-220AB
Размер EEPROM：-
Максимальная потеря мощности (абс.)：150 W
Максимальный ток коллектора (IC)：37.7 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：355 V
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：10 V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：2.3 V

Со склада 0

Итого $0.00000