(0)
Изображение служит лишь для справки
LSD04N65
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：Axial
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：Axial
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- T：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：LSD04N65
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Xiu2019an Lonten Renewable Energy Technology Inc
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
- Производитель IHS：XIAN LONTEN RENEWABLE ENERGY TECHNOLOGY INC
- Ранг риска：5.76
- Максимальный ток утечки (ID)：4 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C
- Серия：CMF
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Размер / Размерность：0.090 Dia x 0.240 L (2.29mm x 6.10mm)
- Допуск：±0.25%
- Состояние изделия：Active
- Количество выводов：2
- Коэффициент температурной зависимости：±25ppm/°C
- Сопротивление：150 kOhms
- Состав：Metal Film
- Мощность (ватт)：0.5W, 1/2W
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Срок службы：--
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.96 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：12 A
- Минимальная напряжённость разрушения：650 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：130 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристики：Flame Retardant Coating, Moisture Resistant, Safety
- Высота сидения (макс.)：--
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
