Изображение служит лишь для справки
BC337-25 A1
-
Taiwan Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 1210 (3225 Metric)
- TRANS NPN 45V 0.8A TO92
Date Sheet
Lagernummer 131
- 1+： $0.09765
- 10+： $0.09213
- 100+： $0.08691
- 500+： $0.08199
- 1000+： $0.07735
Zwischensummenbetrag $0.09765
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：1210 (3225 Metric)
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：1210
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта：RN73H2E
- Mfr：KOA Speer Electronics, Inc.
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：800 mA
- Число элементов на чипе：1
- Размеры：5.1 x 4.1 x 4.7mm
- Формат упаковки：TO-92
- Максимальная рабочая температура：+150 °C
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：45 V
- Максимальный постоянный ток сбора：800 mA
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока：160
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Распад мощности：625 mW
- Полярность транзистора：NPN
- Вес единицы：0.015873 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：4000
- Монтажные варианты：Through Hole
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：100 MHz
- Производитель：Taiwan Semiconductor
- Бренд：Taiwan Semiconductor
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：45 V
- Описание пакета：,
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BC337-25A1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- Ранг риска：5.57
- Рабочая температура：-55°C ~ 155°C
- Серия：RN73H
- Пакетирование：Ammo Pack
- Размер / Размерность：0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
- Допуск：±0.5%
- Количество выводов：2
- Коэффициент температурной зависимости：±100ppm/°C
- Сопротивление：7.23 kOhms
- Состав：Metal Film
- Мощность (ватт)：0.25W, 1/4W
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Срок службы：-
- Конфигурация：Single
- Мощность - Макс：625 mW
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：160 @ 100mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：45 V
- Частота - Переход：100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Характеристики：Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
- Высота сидения (макс.)：0.028 (0.70mm)
- Оценки：AEC-Q200
Со склада 131
- 1+： $0.09765
- 10+： $0.09213
- 100+： $0.08691
- 500+： $0.08199
- 1000+： $0.07735
Итого $0.09765
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты