(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BLW50F
Изображение служит лишь для справки
BLW50F
-
Advanced
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-123
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-123
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Mfr：PEI-Genesis
- Состояние продукта：Active
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：4 V
- Распад мощности：87 W
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：19
- Вес единицы：0.561650 oz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Screw Mount
- Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
- Максимальный постоянный ток сбора：7.5 A
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：55 V
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Температура работы-Макс：200 °C
- Артикул Производителя：BLW50F
- Форма упаковки：ROUND
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ASI SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：4.35
- Серия：*
- Пакетирование：Tray
- Код ECCN：EAR99
- Тип：RF Bipolar Power
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Положение терминала：RADIAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：O-CRFM-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Частота работы：30 MHz
- Конфигурация：Single
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип продукта：RF Bipolar Transistors
- Тип транзистора：Bipolar Power
- Максимальная потеря мощности (абс.)：94 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：3.25 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：15
- Прямоходящий ток коллектора：3.25 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：55 V
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：100 pF
- Категория продукта：RF Bipolar Transistors
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
