(0)
Изображение служит лишь для справки
2N6308
-
Microchip
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 4-SMD, No Lead
- NPN TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 687
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-204AD (TO-3)
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Mfr：Suntsu Electronics, Inc.
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：8 A
- Основной номер продукта：2N6308
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：8 V
- Распад мощности：125 W
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Through Hole
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology / Atmel
- Максимальный постоянный ток сбора：8 A
- РХОС：N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：350 V
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：200 °C
- Рохс Код：No
- Траниционный частотный предел (fT)：5 MHz
- Артикул Производителя：2N6308
- Форма упаковки：ROUND
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：5.11
- Код упаковки компонента：TO-3
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C
- Серия：SXT114
- Пакетирование：Tray
- Размер / Размерность：0.063 L x 0.047 W (1.60mm x 1.20mm)
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Тип：MHz Crystal
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Частота：27 MHz
- Частотная стабильность：±30ppm
- Число контактов：2
- Нормативная Марка：MIL-19500/498
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление)：150 Ohms
- Конфигурация：Single
- Емкость нагрузки：11pF
- Режим работы：Fundamental
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Допустимая частотная неопределенность：±25ppm
- Мощность - Макс：125 W
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：12 @ 3A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：50µA
- Код JEDEC-95：TO-3
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：5V @ 2.67A, 8A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：350 V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：700 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：8 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：12
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：350 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
- Высота сидения (макс.)：0.018 (0.45mm)
Со склада 687
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
