Изображение служит лишь для справки
MTB3N100ET4
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MTB3N100ET4
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Motorola Mobility LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Производитель IHS：MOTOROLA INC
- Ранг риска：5.77
- Максимальный ток утечки (ID)：3 A
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：3 A
- Сопротивление открытого канала-макс：4 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：1000 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты