BS616LV2016EIG55

Name: Brilliance Semiconductor BS616LV2016EIG55
Brand: Brilliance Semiconductor
Rating: 4.8 (8 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：44
Пакет：Retail Package
Mfr：Glenair
Состояние продукта：Active
Описание пакета：TSOP2, TSOP44,.46,32
Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Уровни чувствительности к влажности：3
Количество кодовых слов：128000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：TSOP44,.46,32
Минимальная температура работы：-40 °C
Время доступа-максимум：55 ns
Температура работы-Макс：85 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BS616LV2016EIG55
Количество слов：131072 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：3 V
Код пакета：TSOP2
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Brilliance Semiconductor Inc
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：BRILLIANCE SEMICONDUCTOR INC
Ранг риска：5.84
Код упаковки компонента：TSOP2
Серия：*
Код ECCN：3A991.B.2.A
Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
Подкатегория：SRAMs
Технология：CMOS
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：44
Код JESD-30：R-PDSO-G44
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：5.5 V
Блоки питания：2.5/5 V
Градация температуры：INDUSTRIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.4 V
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.062 mA
Организация：128KX16
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：16
Ток ожидания-макс：7e-7 A
Плотность памяти：2097152 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
Минимальная напряжение спящего режима：1.5 V
Ширина：10.16 mm
Длина：18.41 mm

Со склада 0

Итого $0.00000