(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSZ105N04NSG
Изображение служит лишь для справки
BSZ105N04NSG
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- OPTLMOS POWER-MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：PG-TSDSON-8
- Пакет：Retail Package
- Mfr：Glenair
- Состояние продукта：Active
- Максимальная мощность рассеяния：2.1W (Ta), 35W (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A (Ta), 40A (Tc)
- Серия：*
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10.5mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 14µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
