Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK661R8-30C118
Изображение служит лишь для справки
BUK661R8-30C118
- NXP
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
- Date Sheet
Lagernummer 1510
- 1+: $1.12679
- 10+: $1.06301
- 100+: $1.00284
- 500+: $0.94607
- 1000+: $0.89252
Zwischensummenbetrag $1.12679
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Покрытие контактов:Lead, Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства:D2PAK
- РХОС:Non-Compliant
- Пакет:Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:120A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:NXP USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:263W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tape & Reel
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Допуск:1 %
- Коэффициент температурной зависимости:100 ppm/°C
- Сопротивление:24.9 kΩ
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Состав:Metal Film
- Мощность рейтинга:1 W
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Военный стандарт:MIL-PRF-39017
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.9mOhm @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.8V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:10918 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:168 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±16V
- Характеристика ТРП:-
- Длина:15.87 mm
- Диаметр:4.83 mm
- Корпусировка на излучение:No
Со склада 1510
- 1+: $1.12679
- 10+: $1.06301
- 100+: $1.00284
- 500+: $0.94607
- 1000+: $0.89252
Итого $1.12679