Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUZ102SLE3045A
Изображение служит лишь для справки
BUZ102SLE3045A
- Siemens
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал:Aluminum
- Форма:Square, Fins
- Пакет охлаждаемый:Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
- Отделка материала:Blue Anodized
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:PLASTIC, TO-263, 3 PIN
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:BUZ102SLE3045A
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.29
- Код упаковки компонента:D2PAK
- Максимальный ток утечки (ID):47 A
- Серия:pushPIN™
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Состояние изделия:Active
- Тип:Top Mount
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Метод крепления:Push Pin
- Высота над основанием (Высота лопасти):0.590 (15.00mm)
- Тепловое сопротивление при принудительном воздушном потоке:17.86°C/W @ 100 LFM
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.024 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:188 A
- Минимальная напряжённость разрушения:55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):245 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Тепловое сопротивление при естественном охлаждении:--
- Расход мощности @ Температурный подъем:--
- Ширина:1.378 (35.00mm)
- Длина:1.378 (35.00mm)
- Диаметр:--
Со склада 0
Итого $0.00000