Изображение служит лишь для справки
BF1201R
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：PLASTIC, SC-61B, 4 PIN
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BF1201R
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NXP Semiconductors
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска：5.74
- Код упаковки компонента：SC-61B
- Максимальный ток утечки (ID)：0.03 A
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.03 A
- Минимальная напряжённость разрушения：10 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.2 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：0.03 pF
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты