BSP125L6433

Name: Infineon BSP125L6433
Brand: Infineon
Rating: 4.5 (16 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-261-4, TO-261AA
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Монтаж：Surface Mount, Through Hole
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов：4
Поставщик упаковки устройства：PG-SOT223-4-21
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Прямоходящий ток вывода Id：0.12
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BSP125L6433
Количество элементов：1
Номинальное напряжение (постоянное)：600 V
РХОС：Compliant
Время отключения：20 ns
Пакет：Bulk
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Mfr：Infineon Technologies
Максимальная мощность рассеяния：1.8W (Ta)
Состояние продукта：Active
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.62
Максимальный ток утечки (ID)：0.12 A
Пакетирование：Tape and Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：SIPMOS®
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
Подкатегория：FET General Purpose Power
Максимальная потеря мощности：42 W
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：compliant
Моментальный ток：120 mA
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.8 W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：45Ohm @ 120mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 94µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：150 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.6 nC @ 10 V
Время подъема：14.4 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：120 mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.12 A
Сопротивление открытого канала-макс：45 Ω
Напряжение пробоя стока к истоку：600 V
Максимальный импульсный ток вывода：0.48 A
Входной ёмкости：420 pF
Минимальная напряжённость разрушения：600 V
Канальный тип：N
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：1.8 W
Характеристика ТРП：-
Сопротивление стока к истоку：45 Ω
Rds на макс.：300 mΩ
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000