(0)
Изображение служит лишь для справки
BSP170P
Lagernummer 412
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Mfr：PEI-Genesis
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSP170P
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Описание Samacsys：MOSFET P-Channel 60V 1.9A SOT223
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.29
- Максимальный ток утечки (ID)：1.9 A
- Серия：*
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：1.9 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.3 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：7.6 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：70 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.8 W
Со склада 412
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
